IGBT 晶体管 BUP302 - 相似型号

BUP302

硅 N-IGBT 晶体管

U_CE

1000V

U_GE

±20V

I_C

12A

P_tot

100W

f_T

T_J

150°C

the BUP302 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications

图像:

来源:

SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [更多]

SH SIPMOS Halbleiter 1993/94

更多信息 BUP302
OEM:	Siemens AG
封装:	TO-218AA
数据表 (jpg):	有货
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OEM 数据表:	-
匹配型号:	-
相似型号: ↑	GN12015C, [更多] GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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BUP302

硅 N-IGBT 晶体管

U_CE

1000V

U_GE

±20V

I_C

12A

P_tot

100W

f_T

T_J

150°C

the BUP302 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications

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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94

更多信息 BUP302
OEM:	Siemens AG
封装:	TO-218AA
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相似型号: ↑	GN12015C, [更多] GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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BUP302

硅 N-IGBT 晶体管

U_CE

1000V

U_GE

±20V

I_C

12A

P_tot

100W

f_T

T_J

150°C

the BUP302 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications

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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94

更多信息 BUP302
OEM:	Siemens AG
封装:	TO-218AA
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相似型号: ↑	GN12015C, [更多] GN12015C,GT15N101,GT15Q101
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GN12015C

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

15A

P_tot

150W

f_T

T_J

the GN12015C is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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Jaeger electronic catalog...... [更多]

Jaeger electronic catalog 1999

相似型号: GN12015C
OEM:	Hitachi Ltd.... [更多] Hitachi Ltd. Japan
封装:	TO-3P
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相似型号: ↑	GT15Q101
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GN12015C

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

15A

P_tot

150W

f_T

T_J

the GN12015C is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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Jaeger electronic catalog 1999

相似型号: GN12015C
OEM:	Hitachi Ltd.... [更多] Hitachi Ltd. Japan
封装:	TO-3P
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相似型号: ↑	GT15Q101
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GN12015C

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

15A

P_tot

150W

f_T

T_J

the GN12015C is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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Jaeger electronic catalog 1999

相似型号: GN12015C
OEM:	Hitachi Ltd.... [更多] Hitachi Ltd. Japan
封装:	TO-3P
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GT15N101

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

GFX

U_CE

1000V

U_GE

20V

I_C

15A

P_tot

150W

T_ON/T_OFF

400/800nS

T_J

the GT15N101 is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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Jaeger electronic catalog 1999

相似型号: GT15N101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	TO-3P
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相似型号: ↑	BUP303, [更多] BUP303,GN12015C
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GT15N101

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

GFX

U_CE

1000V

U_GE

20V

I_C

15A

P_tot

150W

T_ON/T_OFF

400/800nS

T_J

the GT15N101 is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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Jaeger electronic catalog 1999

相似型号: GT15N101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	TO-3P
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相似型号: ↑	BUP303, [更多] BUP303,GN12015C
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GT15N101

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

GFX

U_CE

1000V

U_GE

20V

I_C

15A

P_tot

150W

T_ON/T_OFF

400/800nS

T_J

the GT15N101 is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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Jaeger electronic catalog 1999

相似型号: GT15N101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	TO-3P
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匹配型号:	-
相似型号: ↑	BUP303, [更多] BUP303,GN12015C
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GT15Q101

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

U_CE

1200V

U_GE

±20V

I_C DC/AC

15/30A

P_tot

150W

T_ON/T_OFF

400/800nS

T_J

150°C

the GT15Q101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 1200V, Ic = 15A, applications: motor driver, power switch

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Toshiba IGBT Databook 1995/96

相似型号: GT15Q101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	2-16C1C
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相似型号: ↑	GN12015C
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GT15Q101

硅 N-IGBT 晶体管
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U_CE

1200V

U_GE

±20V

I_C DC/AC

15/30A

P_tot

150W

T_ON/T_OFF

400/800nS

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150°C

the GT15Q101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 1200V, Ic = 15A, applications: motor driver, power switch

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Toshiba IGBT Databook 1995/96

相似型号: GT15Q101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	2-16C1C
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相似型号: ↑	GN12015C
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GT15Q101

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP302, see note

U_CE

1200V

U_GE

±20V

I_C DC/AC

15/30A

P_tot

150W

T_ON/T_OFF

400/800nS

T_J

150°C

the GT15Q101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 1200V, Ic = 15A, applications: motor driver, power switch

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Toshiba IGBT Databook 1995/96

相似型号: GT15Q101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	2-16C1C
数据表 (jpg):	有货
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OEM 数据表:	-
匹配型号:	-
相似型号: ↑	GN12015C
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